用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响  

Reducing Target Voltage by Adjusting Growth Conditions of ZnO∶Al Films

作　　者：薛俊明[1,2] 侯国付[1,2] 王雅欣[1,2] 段苓伟[1,2] 刘丽杰[1,2] 赵颖[1,2] 耿新华[1,2] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 [2]光电信息技术科学教育部重点实验室

出　　处：《真空科学与技术学报》2007年第5期426-429,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家重点基础研究发展规划"973"项目(No.2006CB202602;No.2006CB202603);天津市重点科技攻关项目(No.06YFGZGX02100);天津市自然科学重点基金项目(No.06YFJZJC01700)

摘　　要：用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。The influence of various film growth conditions, such as the＇ratio of oxygen and hydrogen,the sputtering pressure,the power, frequency and wave-shape of the mid-frequency pulse, etc. ,on the target voltage was studied to lower the target voltage in growing ZnO：Al films.the results show that the pulse reverse time strongly affects the target voltage. For example as the reverse time increases from 2 μs to 10 μs,the target voltage drops by over 60 percent.

关 键 词：中频脉冲 ZnO∶Al透明导电膜 磁控溅射 靶电压 

分 类 号：O484[理学—固体物理]