电力电子开关器件仿真模型分析和比较  

Analysis and Comparison of Power Electronic Devices Models

作　　者：张薇琳[1] 张波[1] 丘东元[1] 

机构地区：[1]华南理工大学电力学院,510640

出　　处：《电气应用》2007年第9期64-67,共4页Electrotechnical Application

摘　　要：对电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、MOSFET和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点和适用场合,由此为电力电子开关器件的分析提供研究基础。Simulation models of power electronic devices, including power diode, GTO, thyristor, MOSFET and IGBT are presented. Their basic principles are described and their merits and limitations are remarked.

关 键 词：功率二极管 GTO 晶闸管 MOSFET IGBT 仿真模型 

分 类 号：TM564[电气工程—电器]