Multi-Finger Power SiGe HBT with Non-Uniform Finger Spacing  

非均匀条间距结构功率SiGe HBT(英文)

作　　者：金冬月[1] 张万荣 沈珮[1] 谢红云[1] 王扬[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第10期1527-1531,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60770651,60376033);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:514390108,04QT0101);北京市自然科学基金;北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目~~

摘　　要：A multi-finger power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） with non-uniform finger spacing was fabricated to improve thermal stability. Experimental results show that the peak temperature is reduced by 22K compared with that of an HBT with uniform finger spacing in the same operating conditions. The temperature profile across the device can be improved at different biases for the same HBT with non-uniform finger spacing. Because of the decrease in peak temperature and the improvement of temperature profile, the power SiGe HBT with non-uniform spacing can operate at higher bias and hence has higher power handling capability.成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT的峰值结温降低了22K.在不同偏置条件下,非均匀结构SiGeHBT均能显著改善芯片表面温度分布的非均匀性.由于峰值结温的降低以及芯片表面温度分布非均匀性的改善,采用非均匀发射极条间距结构的功率SiGeHBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力.

关 键 词：SiGe HBT POWER 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]