韩国首次成功研制60纳米级2GBDRAM闪存  

出　　处：《纳米科技》2007年第5期72-72,共1页

摘　　要：韩三星电子世界上首次成功研发出60纳米级容量为2GB的DDR2DRAM。据称，这是每秒能处理约7—8个月报纸文字数据的内存芯片，预计将成为主导下一代DRAM市场的主力产品。三星电子计划不久后开始批量生产该产品。

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分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]