GaN MOS-HEMT Using Ultrathin Al_2O_3 Dielectric with f_(max) of 30.8GHz  

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

作　　者：郝跃[1] 岳远征[1] 冯倩[1] 张进城[1] 马晓华[1] 倪金玉[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第11期1674-1678,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:51327020301)~~

摘　　要：We report on a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） using atomic-layer deposited （ALD） A1203 as the gate dielectric. Through decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm,a device with maximum transconductance of 130mS/mm is produced. The drain current of this 1/~m gate- length MOS-HEMT can reach 720mA/mm at ＋ 3.0V gate bias. The unity current gain cutoff frequency and maxi- mum frequency of oscillation are obtained as 10.1 and 30.8GHz,respectively.报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.

关 键 词：A1GAN/GAN MOS-HEMT ultrathin A1203 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]