Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn_(1-x)Mn_xSe超晶格中的应力效应  

STRAIN EFFECTS IN  Zn 1-x Mn x Se  SUPERLATTICES OF Ⅱ Ⅵ DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS 

作　　者：李晓莅[1,2] 陈唏[1,2] 刘继周 陈辰嘉[1] 王学忠 凌震[3] 王迅[3] 吕少哲[4,5] 

机构地区：[1]北京大学物理系 [2]北京中国科学院激发态物理开放实验室 [3]复旦大学应用表面物理实验室 [4]中国科学院激发态物理开放实验室 [5]中国科学院长春物理所

出　　处：《光谱学与光谱分析》1997年第2期1-7,共7页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定。We report the strain effects of  Zn 1-x Mn x Se  superlattices of Ⅱ Ⅵ diluted magnetic semiconductors by the photoluminescence measurements with compostions x=0 2,0 3,0 4 in the temperature range T=11K to 300K.The results show that the exciton energy tends to a red shift with the increasing of x due to the strain effects.The distribution of strain in wells and barriers presents a considerable change when their thickness ratio is altered.Photoluminescence spectra peaks as a function of temperature are mainly dominated by the band gap of ZnSe.The temperature coefficient of exciton energy is obtained.

关 键 词：超晶格 光致发光谱 应力效应 稀磁半导体 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学]