长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺  

Ohmic Contacts Technology in Long-wavelength VCSEL Structure

作　　者：刘成[1] 曹春芳[1] 劳燕锋[1] 曹萌[1] 吴惠桢[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

出　　处：《半导体光电》2007年第5期667-670,675,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(2003CB314903)

摘　　要：简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。The important application of Ohmic contacts technology in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser（VCSEL） is introduced. Circular transmission line model （CTLM） is used to measure the contact characterization between p-InGaAsP/InP and Ti-Au. It is found that Ohmic contact is formed between p-InGaAsP and Ti-Au after high-temperature rapid thermal annealing, and the lowest specific contact resistance can reach 6.49 × 10^-5 Ω·cm^2. The threshold voltage and series resistance of the 1. 3 μm VCSEL structure which adopted the optimized ohmic contacts technology are reduced significantly.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 欧姆接触 比接触电阻 快速退火 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]