(Pb_(0.90)La_(0.10))Ti_(0.975)O_3/LaNiO_3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究  

Fabrication and properties of (Pb_(0.90)La_(0.10))Ti_(0.975)O_3/LaNiO_3 thin films prepared by RF magnetron sputtering

作　　者：吴家刚[1] 朱基亮[1] 肖定全[1] 朱建国[1] 谭浚哲[1] 张青磊[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学系,四川成都610064

出　　处：《功能材料》2007年第3期351-353,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50132020);国家安全973计划资助项目(Z0601)

摘　　要：采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜。研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响。实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2。The （100）-and （110）-oriented （Pb0.90 La0.10）Ti0.975O3[PLT] thin films were prepared on the SiO2/Si （100） and Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100） substrates by RF magnetron sputtering with a LaNiO3 [LNO] buffer layer, respectively. The effect of LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100） and LNO/SiO2/Si（100） substrates on the microstructure and ferroelectric properties of PLT thin films was investigated. The experimental results in this work indicate that the （100）-orientated （Pb0.90 La0.10）Ti0.975O3 thin film deposited on the LNO/SiO2/Si（100） substrate possesses better microstructure and ferroelectric properties with larger remnant polarization （2Pr= 40.4μC/cm^2）, as compared with （110）-oriented one （2Pr=22.4μC/cm^2） deposited on the LNO/Pt（111）/Ti/ SiO2/Si（100） substrate.

关 键 词：(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT) 铁电薄膜 射频磁控溅射 LANIO3 剩余极化 

分 类 号：O484[理学—固体物理]