一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计  

A Low Voltage and Curvature Compensated CMOS Bandgap Reference

作　　者：李娟[1] 常昌远[2] 李弦[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,江苏南京210096 [2]东南大学集成电路学院,江苏南京210096

出　　处：《现代电子技术》2007年第22期169-171,共3页Modern Electronics Technique

摘　　要：运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温度范围内，输出电压为0．6V，温度系数为9．1ppm／℃，即基准输出电压随温度变化不超过±0．1％。低频（f=1kHz）时PSRR为-78dB。在室温电源电压为1．2V时总功耗约为38μw。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。Employing the rationale of BGR（bandgap reference voltage）and 0.6 μm CMOS technology,a curvature compensated CMOS bandgap circuit with low supply voltage is presented. Combined with the proposed circuit, the mathematical expression of curvature compensated is given. Simulated by Cadence, with the minimum supply voltage is 1.2 V, the circuit delivers an output voltage of 0. 6 V and achieves a temperature coefficient of 9. 1 ppm/℃ over [- 20 ℃, 100℃ and a power supply rejection ratio of -78 dB at 1 kHz and the total consumption is 38 FW. So the proposed BGR has a good performance.

关 键 词：CMOS带隙基准电压源 高阶曲率补偿 低温度系数 低电源电压 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]