三氧化二砷对体外培养的HaCaT细胞基因表达的影响  

作　　者：毕新岭[1] 刘雅妍[2] 顾军[1] 邹颖[1] 

机构地区：[1]第二军医大学长海医院皮肤科,上海200433 [2]青海医学院附属医院皮肤科

出　　处：《中华皮肤科杂志》2007年第11期705-706,共2页Chinese Journal of Dermatology

摘　　要：通过饮水、燃煤、药物、职业等因素长期接触砷，可引起皮肤、肺和膀胱等组织器官的肿瘤发生。砷的致病或致癌是一个缓慢长期的过程，我们先前的研究表明，一定浓度的砷通过相关信号传导途径影响细胞周期，刺激角质形成细胞增殖。为进一步全面了解砷对角质形成细胞的影响，采用基因表达谱芯片技术，对低剂量长期砷处理角质形成细胞的基因改变进行了研究。

关 键 词：基因表达谱芯片技术 三氧化二砷 HaCaT细胞 体外培养 角质形成细胞增殖 信号传导途径 长期接触 肿瘤发生 

分 类 号：R363[医药卫生—病理学]