钼酸铅单晶的坩埚下降法生长工艺  

机构地区：[1]宁波大学

出　　处：《中国钼业》2007年第3期9-9,共1页China Molybdenum Industry

摘　　要：本发明公开了声光晶体钼酸铅的坩埚下降法生长新工艺，该技术属于单晶生长领域。按照PbO：MoO3=1：1的摩尔比配料，采用壁厚0．1～0．3mm的铂坩埚盛装籽晶和原料，将坩埚密封后置于晶体生长炉中，控制炉温于1120～1200℃，调节坩埚位置使原料和籽晶顶部熔化，形成温度梯度为20～40℃／cm的稳定固液界面，然后以小于1mm／h的速率进行坩埚下降生长，所生长晶体再经800℃下退火处理，即可生长出优质完整钼酸铅单晶。

关 键 词：坩埚下降法 生长工艺 单晶生长 钼酸铅 声光晶体 晶体生长炉 固液界面 温度梯度 

分 类 号：O782[理学—晶体学]