低损耗的IGBT/MOSFET并联开关在开关电源中的应用  

作　　者：李长明 

机构地区：[1]武汉洲际通信电源集团公司,430035

出　　处：《通信电源技术》1997年第2期30-33,共4页Telecom Power Technology

摘　　要：介绍一种由MOSFET和IGBT组成的新颖的低损耗并联开关的构成、工作原理,以及在高频大功率开关电源中的应用,并比较了使用并联组合开关和使用MOSFET(或IGBT)的损耗,给出了在产品中的使用效果。

关 键 词：开关电源 并联开关 MOSFET IGBT 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]