优质细颗粒金刚石单晶(170～400目)生长工艺条件研究  

Investigation of the Technological Conditions for Growing High Quality Fine Grain Diamond Monocrystal (from 170 to 400 mesh)

作　　者：王德新[1] 王福泉[1] 刘光海[1] 杨俊菊[1] 

机构地区：[1]胜利石油管理局钻井工艺研究院

出　　处：《人工晶体学报》1997年第3期345-345,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：本文报道了生长优质细颗粒金刚石单晶（１７０～４００目）的工艺条件。采用粉末触媒和石墨合成细颗粒单晶，比用片状触媒、石墨压缩性大，电阻变化大。因此，在电压不变情况下加热合成时，其电流和功率都随合成时间有较大变化，而且是一条有规律的电流时间（功率时间）变化曲线。从加热压力（Ｐ加热）开始通电加热，电流和功率急剧上升，达到最终合成压力（Ｐ终）时，仍然上升，直至达到最高点。然后电流、功率下降至最低点后，电流又上升，若不控制，待数秒钟后单晶质量变坏，并有石墨化现象。经分析得知，由加热压力开始到最终合成压力，试块收缩，电阻变小，主要是烧结所致，压力引起的收缩，电阻变小为辅；由最终合成压力Ｐ终到电流、功率变化曲线的最高点，这是触媒熔化、电阻变小所致；由曲线的最高点变到最低点，这是由于单晶形成，试块电阻变大造成的。电流时间（功率－时间）曲线最高点和最低点的位置与数值变化大小，是由温度（加热功率）和过剩压的大小决定的。合成功率高者，从Ｐ加热～Ｐ终电流（功率）变化数值大，而从Ｐ终到曲线最高点变化数值减少，曲线最高点到最低点变化数值亦减少，时间亦缩短。合成单晶效果看，温度高单产低、晶粒细。过压度大者，电流变化数值增大，但达到曲线最?

关 键 词：过剩压 电流时间曲线 单晶生长 金刚石薄膜 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学]