掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究  

Study on XPS of Ce:LiNbO 3 Crystal

作　　者：洪广言[1,2] 张瑞峰[1,2] 洪元佳[1,2] 姚兰芳[1,2] 刘景和[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院长春应用化学研究所 [2]长春光学精密机械学院

出　　处：《人工晶体学报》1997年第3期365-365,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：光折变晶体作为一种新型的光学材料在全息存储、信息处理、光计算等领域具有重要的应用前景。在ＬｉＮｂＯ３（简称ＬＮ）中掺杂ＣｅＯ２或Ｆｅ２Ｏ３将能大幅度提高光折变灵敏度，且掺ＣｅＯ２的Ｃｅ：ＬＮ光折变灵敏度优于掺Ｆｅ２Ｏ３的Ｆｅ：ＬＮ。对Ｃｅ：ＬＮ的许多性质人们已作了报导，本文用光电子能谱研究Ｃｅ：ＬＮ晶体中铈的价态，并提出铈离子的价态对光折变的影响。Ｃｅ：ＬＮ晶体采用提拉法生长。所得晶体经退火与极化，为提高Ｃｅ３＋／Ｃｅ４＋的比例，将Ｃｅ：ＬＮ晶片埋在Ｌｉ２ＣＯ３粉中，升温到５００℃，恒温一天，晶片由无色变为微红棕色。电子能谱测定是在英国ＶＧＥｓｃａｌａｂＭＫ－Ⅱ型电子能谱仪上进行，采用ＶＧＳ－１０００程序进行分峰处理。不同掺铈浓度的Ｃｅ：ＬＮ晶体的光电子能谱的分析结果表明（见表１）：掺入ＣｅＯ２后对晶体中Ｎｂ５＋的能级没有明显的影响。对铈离子的３ｄ５／２进行分峰处理后发现，Ｃｅ：ＬＮ晶体中不仅存在Ｃｅ４＋能级所特有表１Ｃｅ：ＬＮ晶体的光电子能谱分析ＣｅＯ２（ｍｏｌ％）Ｎｂ５＋３ｄ５／２３ｄ３／２Ｏ２－ｏ１ｓＣｅ３＋／Ｃ４＋３ｄ５／２３ｄ３／２Ｃｅ４＋伴峰０．１（ｅＶ）２０６．７２０９．３５２９．９５３２．２?

关 键 词：掺铈 铌酸锂晶体 光折变 光电子能谱 

分 类 号：O472.2[理学—半导体物理] O471.4[理学—物理]