基于失效机理的半导体器件寿命模型研究  

作　　者：赵霞[1] 吴金[1] 姚建楠[1] 

机构地区：[1]东南大学无锡分校,江苏南京210096

出　　处：《电子元器件应用》2007年第12期69-71,共3页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：为了探讨不同失效机理对元器件寿命的不同影响。文中分析了半导体器件的三个主要失效机理(电迁移、腐蚀和热载流子注入)的影响因素及寿命模型,并通过具体数据计算分析了加速因子对不同状态下半导体器件寿命所产生的影响。

关 键 词：半导体器件 可靠性 加速寿命试验 失效机理 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]