SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化  

Optimization of Base Bias Resistor in SiGe HBT Power Amplifier

作　　者：何莉剑[1] 张万荣 谢红云[1] 张蔚[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院,北京100022

出　　处：《半导体技术》2007年第12期1025-1027,1064,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286)

摘　　要：模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求。The effect of base bias resistors on the parameters of PA （power amplifier） was simulated. Under the condition of satisfying the requirement of efficiency, S parameters, voltage standing wave rate （VSWR）, power gain and stabilization, the base bias resistor was optimized for minimizing the third-order inter-modulation. It shows that an optimum base bias resistor can make the PA DC bias point unchanged, make the third-order inter-modulation minimum and, improve the flatness of power gain, and make the S parameters meet the requirement of PA.

关 键 词：线性 功率放大器 偏置电阻 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]