硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光  

作　　者：廖良生[1] 熊祖洪[1] 袁帅[1] 侯晓远[1] 刘小兵[2] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室,上海200433 [2]长沙电力学院物理系,长沙410077

出　　处：《科学通报》1997年第17期1900-1901,共2页Chinese Science Bulletin

摘　　要：为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

关 键 词：硅基发光材料 二氧化硅 薄膜 光致发光 发光机理 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]