辐射缺陷工程  

Radiation Defect Engineering

作　　者：胡光华[1] 

机构地区：[1]原中国科学院物理学研究所

出　　处：《国外科技新书评介》2007年第8期19-20,共2页Scientific & Technology Book Review

摘　　要：半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进。

关 键 词：辐射 缺陷工程 半导体电子学 掺杂工艺 微波电子学 半导体晶片 光电子学 非均匀 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]