检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]湘潭大学数学与计算科学学院,湘潭411105 [2]中国科学院力学研究所LHD实验室,北京100085
出 处:《自然科学进展》2007年第12期1724-1728,共5页
基 金:国家自然科学基金资助项目(批准号:10676031;50675185)
摘 要:化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是一项融合了化学分解和机械力学的工艺技术,其中包含了流体动力润滑的作用.文中通过分析流场效应,建立了Sum在化学机械抛光实验基础上获得的润滑(Reynolds)方程,利用Chebyshev加速超松弛技术对润滑方程进行求解,得到了新的抛光液压力分布模型,给出了一些新的载荷及转矩在不同参数下的变化情况.
关 键 词:化学机械抛光 润滑方程 压力分布模型 Chebyshev加速超松弛技术
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