Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems  

退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响(英文)

作　　者：张晋敏[1] 谢泉[1] 曾武贤[1] 梁艳[1] 张勇[1] 余平[1] 田华[1] 

机构地区：[1]贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳550025

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第12期1888-1894,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家留学基金委2006-2007年度中-克互换奖学金项目(批准号:留金出(2006)3042);国家自然科学基金(批准号:6056601);教育部博士点专项基金(批准号:20050657003);贵州省科技厅国际合作计划(批准号:黔科合G(2005)400102)资助项目~~

摘　　要：Pure metal Fe films with thickness of about 100nm were deposited on Si （100） substrates by DC magnetron sputtering. Annealing was subsequently performed in a vacuum furnace in the temperature range of 600-1000℃ for 2h. The samples were characterized by means of Rutherford backscattering （RBS） with 3MeV carbon ions. The RBS data were fitted with SIMNRA 6.0, and the results show the atomic interdiffusion in Fe/Si systems. The microstructures and crystal structures were characterized by scanning electron microscope and X-ray diffrac- tion. The effects of annealing on atomic interdiffusion, silicide formation, and microstructures in Fe/Si systems were analyzed.在Si（100）衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h，用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射（RBS）测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像，扫描电镜（SEM）观察和X射线衍射（XRD）测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构，由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。

关 键 词：magnetron sputtering ANNEALING RBS atomic interdiffusion MICROSTRUCTURE 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]