SU-8胶曝光衍射效应的模拟及丙三醇补偿方法  

Simulation of the Diffraction Effect in Exposure on a SU-8 Photoresist and the Glycerol Compensated Method

作　　者：朱真[1] 黄庆安[1] 李伟华[1] 周再发[1] 冯明[1] 

机构地区：[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第12期2011-2017,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家杰出青年科学基金资助项目(批准号:50325519)~~

摘　　要：基于SU-8胶的UV-LIGA技术是MEMS中制备高深宽比结构的一种重要方法,但由于衍射效应会使结构的侧壁不再垂直.根据菲涅耳衍射模型,考虑了丙三醇/SU-8界面的反射和折射现象,模拟了丙三醇填充在掩膜版和光刻胶之间时的刻蚀图形.计算结果与已有的实验进行了比较,模型基本可以描述这种光刻过程,可在设计时作为参考.According to a Fresnel diffraction model,and considering the reflection and refraction at the glycerol/SU-8 inter-face, this paper simulates the aerial image when glycerol is applied between the photomask and resist. Compared to the exper-imental results,the model can describe the lithography process competently and be applied in design.

关 键 词：SU-8胶 菲涅耳衍射 丙三醇 

分 类 号：TP211.4[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]