非晶硅薄膜在电子学领域的应用  

作　　者：张蔷[1] 

机构地区：[1]北京联大电子自动化工程学院

出　　处：《世界电子元器件》1997年第5期58-60,共3页Global Electronics China

摘　　要：近年来,a-Si:H薄膜已引起人们很大的兴趣。这不仅是因为非晶态的固体理论问题需要研究,更主要的是因为非晶硅材料具有诱人的应用前景。 在七十年代以前,人们普遍采用真空蒸发法和溅射法来制备非晶硅薄膜。但当时制备的非晶硅薄膜的性质不佳,因而并不特别受人注意。从七十年代中期开始,发展了辉光放电分解沉积的非晶硅制备技术。由这一技术所制备的非晶硅薄膜,具有十分引人注目的光学和电学性质。它和传统的非晶硅的差别在于材料中含有一定量的氢。氢的引入大大地降低了材料中的缺陷态密度。α-Si:H这一新材料的特点可归纳为:

关 键 词：非晶硅薄膜 电子学 制备 体效应器件 二极管器件 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.055