LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计  

Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier

作　　者：揭荣金[1] 马凤岚[1] 

机构地区：[1]江西机电职业技术学院,江西南昌330013

出　　处：《江西科学》2007年第6期769-771,共3页Jiangxi Science

摘　　要：LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计。实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性。The thermal effect of LDMOS power amplifiers deprives its performances. On the basis of the self - heating effects model of LDMOS FET, analyze and simulate a design of biasing circuit minimizing thermal effect. Finally, the experiment results certify the validity of design.

关 键 词：LDMOS 温度特性 功率放大器 偏置电路 

分 类 号：TN72[电子电信—电路与系统]