非晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟  

Numerical simulation of i-layers thickness on a-Si:H p-i-n solar cell devices

作　　者：姚若河[1] 郑佳华[1] 

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州510640

出　　处：《实验技术与管理》2007年第12期67-68,73,共3页Experimental Technology and Management

摘　　要：应用AMPS-1D软件对非晶硅太阳能电池的J-V特性进行了模拟研究，重点模拟分析了i层厚度对P-i-n结构非晶硅太阳能电池特性参数的影响。The AMPS-1D （ analysis of microelectronic and photonic structures） was used to module the light J- V characteristics of a-Si ： H p-i-n solar cell devices. The effects of the i-layers thickness on the light J-V characteristics have been examined.

关 键 词：太阳能电池 非晶硅 数值模拟 

分 类 号：TP39[自动化与计算机技术—计算机应用技术]