InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备  

Design and Fabrication of InP/InGaAs Long Wavelength Monolithic Integrated Photoreceiver

作　　者：李轶群[1] 崔海林[1] 苗昂[1] 吴强[1] 黄辉[1] 黄永清[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《半导体光电》2007年第6期843-846,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划资助项目(2003CB314900);国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416);国家自然科学基金资助项目(60576018);国际科技合作重点项目计划项目(2006DFB11110);北京市教育委员会共建项目(XK100130637)

摘　　要：叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管(HBT)单片集成实现光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和HBT采用共享层结构,这样的结构不仅性能优于堆叠层结构,而且制备工艺兼容。制备的HBT截止频率达到30 GHz,pin光探测器的3 dB带宽达到了15 GHz,集成光接收前端的3 dB带宽达到3 GHz,跨阻放大倍数达到800。InP/InGaAs pin-HBT monolithic integrated photoreceiver was designed and fabricated. The share layer structure was adopted for improving performance and compatible technics. The cutoff frequency of HBT is 30 GHz, the 3 dB bandwidth of pin photodetector is 15 GHz, the 3 dB bandwidth of photoreceiver is 3 GHz and amplification factor is 800.

关 键 词：光电集成 光接收前端 HBT PIN光探测器 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]