崔海林

作品数：20被引量：39H指数：5
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发文主题：HBT太赫兹INP基太赫兹波异步更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《半导体技术》更多>>
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电场诱导水的太赫兹透射特性研究
《光谱学与光谱分析》2021年第6期1683-1687,共5页蔡妍 王佳慧 白志晨 苏波 吴蕊 崔海林 张存林 
国家自然科学基金面上项目(61575131)资助。
许多生物分子自身的转动、振动或分子团的整体振动模式都位于太赫兹波段内,因此可以利用太赫兹光谱技术对生物分子进行检测。同时又由于太赫兹波的光子能量仅为毫电子伏量级,不会对分子的内部结构造成破坏,所以太赫兹时域光谱技术在生...
关键词：太赫兹 微流控芯片 去离子水 电场 吸收特性 
基于共面传输线的太赫兹片上系统的研究
《光学技术》2019年第2期208-212,共5页吴蕊 苏波 文毅伟 何敬锁 崔海林 张存林 
国家自然科学基金(61575131;61675138;61575130);北京市教育委员会科技计划一般资助项目(SQKM201810028004)
太赫兹片上系统是将太赫兹的产生、传输和探测都集中在一个几平方厘米的基片上,线宽及间距达到微米量级,具有集成化程度高、系统尺寸小、稳定性好以及操作简便的特点,有利于与微量样品检测技术相互结合。研究采用HFSS软件对共面波导和...
关键词：共面传输线 片上系统 太赫兹波 传输特性 
GaAs样品对太赫兹微带线频谱特性的影响被引量：1
《红外与激光工程》2016年第12期134-139,共6页张米乐 李依涵 何敬锁(指导) 崔海林 张存林 
国家自然科学基金(61675138,61675131)
太赫兹片上系统是近年来太赫兹研究的热点,是太赫兹系统集成的关键技术。太赫兹微带线(MSL)是太赫兹片上系统的关键,微带线设计的合理性,直接影响着太赫兹片上系统的灵敏度和准确度,为了更好地制作片上系统,以理论模型为参照,利用HFSS(H...
关键词：太赫兹 片上系统 微带线 微带滤波结构 
金属开口谐振环结构的太赫兹波吸收特性被引量：5
《红外与激光工程》2016年第12期140-145,共6页李依涵 张米乐 崔海林 何敬锁(指导) 张存林 
国家自然科学基金(61675138,61575131)
太赫兹调制器、滤波器、吸收器是太赫兹波应用领域的关键器件,而金属开口谐振环是这些器件的常用结构。通过仿真及实验的手段,系统地比较了不同亚波长金属开口谐振环结构的太赫兹波吸收特性。设计并制备两种不同形式的亚波长金属谐振环...
关键词：开口谐振环 太赫兹 超材料 
全光纤耦合异步光学采样THz-TDS系统被引量：6
《北京理工大学学报》2016年第2期170-174,共5页段国腾 李林 崔海林 张存林 
针对传统THz-TDS系统利用机械步进延迟线进行采样扫描的方式获取太赫兹时域谱使得检测信号速度慢等缺点,设计了全光纤耦合快速异步光学扫描THz-TDS系统,该系统利用以锁相环(PLL)和直接频率合成器(DDS)为核心的电子系统精确控制两台飞秒...
关键词：异步光学采样 太赫兹时域光谱 光纤 
基于太赫兹亚波长超材料的偏振不敏感调制器的理论研究(英文)被引量：2
《红外与激光工程》2014年第11期3849-3853,共5页崔海林 焦磊 李丽娟 何敬锁 
北京市教育委员会科技计划面上项目(KM20120028009);北京市自然科学基金;北京市教育委员会科技计划重点项目(KZ201310028032)
对太赫兹波超材料调制器的偏振响应进行了研究。提出并计算仿真了两种特殊结构的调制器,包括中心十字结构和双开口环结构。传统的开口环结构的调制器是偏振敏感的,而所研究的两种结构都是偏振不敏感的。中心十字结构是一个完全对称的金...
关键词：太赫兹调制器 开口谐振环 偏振不敏感 
太赫兹波通信系统中调制技术的研究被引量：2
《首都师范大学学报（自然科学版）》2014年第2期15-21,40,共8页何敬锁 崔海林 焦磊 李丽娟 李泽 张存林 
国家973项目(2007CB310408)资助课题;THz重要辐射源探测及应用基础研究
分析了近年来可用于太赫兹通信的调制技术,从内调制、外调制以及电混频、光调制方式等角度研究了各种调制方式的发展情况、技术特点以及研究前景.研究发现,受技术发展水平的限制,目前,采用太赫兹辐射源直接调制与外加调制器的调制方式...
关键词：通信 太赫兹波 太赫兹通信 调制技术. 
InP基MOCVD及MBE外延生长HBT的制备与分析
《光电子．激光》2012年第6期1067-1071,共5页崔海林 任晓敏 黄辉 
北京市教育委员会科技计划(KM201210028009)资助项目
设计并研制了用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极晶体管(HBT),介绍了工艺流程及器件结构。分别采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)及分子束外延(MBE)生长的外延片,并在外延结构、工艺流程相同的条件下,对两种生长机制的HBT直流及高频参...
关键词：异质结双极晶体管(HBT) 金属有机化学气相沉积InP MOCVD 分子束外延(MBE) 
InGaAs/Si雪崩光电二极管被引量：5
《半导体光电》2010年第5期702-704,708,共4页宋海兰 黄辉 崔海林 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目(2010CB327600);国家"863"计划项目(2006AA03Z416;2007AA03Z418;2009AA03Z405;2009AA03Z417);北京市教育委员会共建项目(XK100130637);北京市"科技新星计划项目"(2006A46);国际科技合作重点计划项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划项目(B07005);教育部"长江学者和创新团队发展计划"项目(IRT0609)
采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管。器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41V,暗电流为99nA,此时光电流比暗电流高3个数量级。
关键词：雪崩光电二极管 InGaAs/Si 键合 
InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析
《光电子．激光》2008年第3期296-299,共4页吴强 黄永清 黄辉 苗昂 李轶群 崔海林 任晓敏 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CBV314901);国家自然科学基金资助项目(60576018);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCEN-05-0111);北京市教育委员会共建项目(XK100130637)
根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有...
关键词：异质结双极晶体管(HBT) 小信号电路模型 晶体管高频放大器 稳定性 
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