InP基MOCVD及MBE外延生长HBT的制备与分析  

Fabrication and analysis of InP-based HBT by MOCVD and MBE growth

作　　者：崔海林[1] 任晓敏[2] 黄辉[2] 

机构地区：[1]首都师范大学物理系,北京100048 [2]北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876

出　　处：《光电子．激光》2012年第6期1067-1071,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：北京市教育委员会科技计划(KM201210028009)资助项目

摘　　要：设计并研制了用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极晶体管(HBT),介绍了工艺流程及器件结构。分别采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)及分子束外延(MBE)生长的外延片,并在外延结构、工艺流程相同的条件下,对两种生长机制的HBT直流及高频参数进行和分析。结果表明,采用MOCVD生长的InP基HBT,直流增益为30倍,截止频率约为38GHz;MBE生长的HBT,直流增益达到100倍,截止频率约为40GHz。这表明,MBE生长的HBT外延层质量更高,在相同光刻条件下,所对应的HBT器件的性能更好。We designed and fabricated the InP-based heterojunction bipolar transistor （HBT） for optoe-lectronic integrated circuit （OEIC）. Both metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） and molec-ular beam epitax （MBE） growth methods were developed. We compared and analyzed HBTs direct cur-rent （DC） and high frequency parameters by two growth mechanism types under the same epitaxial structure and technique process. The HBT by MOCVD growth exhibits a current gain of 30 and a cut-off frequency of 38 GHz. The HBT by MBE growth has a current gain of 100 and a cut-off frequency of 40 GHz. Based on testing results, the MBE growth epitaxy layer has better quality and in the same lithogra- phy condition,the corresponding HBT device has better performance.

关 键 词：异质结双极晶体管(HBT) 金属有机化学气相沉积InP MOCVD 分子束外延(MBE) 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]