InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析  

Stability analysis of InP/InGaAs HBT high-frequency amplifier

作　　者：吴强[1] 黄永清[1] 黄辉[1] 苗昂[1] 李轶群[1] 崔海林[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《光电子．激光》2008年第3期296-299,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CBV314901);国家自然科学基金资助项目(60576018);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCEN-05-0111);北京市教育委员会共建项目(XK100130637)

摘　　要：根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致。A high-frequency small-signal circuit model is introduced based on HBT. The instability in high-frequency amplifier and the stability method that adopts port-attached resistance are theoretically analyzed based on comment-emitter amplifier using the above model. The range of resistance can quickly be obtained by matlab,and the theoretical analysis is in good a greement with the simulation.

关 键 词：异质结双极晶体管(HBT) 小信号电路模型 晶体管高频放大器 稳定性 

分 类 号：TN324.1[电子电信—物理电子学] TN722