InGaAs/Si雪崩光电二极管  

InGaAs/Si Avalanche Photodiodes

作　　者：宋海兰[1] 黄辉[1] 崔海林[1] 黄永清[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《半导体光电》2010年第5期702-704,708,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(2010CB327600);国家"863"计划项目(2006AA03Z416;2007AA03Z418;2009AA03Z405;2009AA03Z417);北京市教育委员会共建项目(XK100130637);北京市"科技新星计划项目"(2006A46);国际科技合作重点计划项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划项目(B07005);教育部"长江学者和创新团队发展计划"项目(IRT0609)

摘　　要：采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管。器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41V,暗电流为99nA,此时光电流比暗电流高3个数量级。The InGaAs/Si avalanche photodiodes were fabricated by low temperature direct wafer bonding,using InGaAs and Si as the absorption layer and multiplication layer respectively.The area of the optical window of APD is 50μm×70μm and the normal optical response is performed.The devices obtain the breakdown voltage of 41Vand dark current of about 99nA when the dark current is three orders of magnitude higher than the photocurrent.

关 键 词：雪崩光电二极管 InGaAs/Si 键合 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]