氮离子注入金刚石薄膜的研究  

作　　者：辛火平[1] 林成鲁[1] 王建新 邹世昌[1] 石晓红[2] 林梓鑫[3] 周祖尧[3] 刘祖刚 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [3]中国科学院上海冶金研究所,上海200050 [4]上海大学材料科学与工程系,上海201800

出　　处：《中国科学（E辑）》1997年第3期211-217,共7页Science in China(Series E)

摘　　要：采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N^+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.

关 键 词：氮离子注入 金刚石薄膜 RAMAN光谱 电学性质 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] TQ163[化学工程—高温制品工业]