多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性  

作　　者：王兼善[1] 王水凤[1] 王平 曾庆城[2] 

机构地区：[1]南昌大学物理系计算中心 [2]南昌大学物理系材料科学研究所

出　　处：《半导体技术》1997年第4期31-33,共3页Semiconductor Technology

基　　金：南昌大学基础理论研究资助;江西省自然科学基金

摘　　要：测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。

关 键 词：多孔硅 上转换荧光 蓝光发射 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]