曾庆城

作品数：11被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：紫外室温多孔硅硼硅更多>>
发文领域：电子电信自然科学总论理学更多>>
发文期刊：《光学学报》《材料研究学报》《半导体技术》《上饶师范学院学报》更多>>
所获基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金河北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1
《半导体技术》1999年第5期12-15,共4页王水凤 胡力民 曾宇昕 曾庆城 
江西省自然科学基金;863计划资助项目
介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两...
关键词：外延晶片 洁净度优化 LED-GaP 发光二极管 
多孔硅光致发光的非线性光学特性被引量：1
《光学学报》1999年第8期1138-1141,共4页任丙彦 刘彩池 张颖怀 崔德升 王水凤 曾庆城 
河北省自然科学基金
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰...
关键词：多孔硅 光致姚 发光机理 非线性光学 
CeSi_2薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性被引量：3
《材料研究学报》1999年第1期36-41,共6页程国安 徐松兰 叶敦茹 朱景环 肖志松 曾庆城 
国家自然科学基金!59501004;国家教委射线束材料工程开放实验室部分资助
将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注...
关键词：CeSi2 离子束合成 光致蓝紫光谱 薄膜 室温 
掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究
《半导体情报》1997年第4期50-52,54,共4页王水凤 曾庆城 王兼善 罗庆芳 
江西省自然科学基金
用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心...
关键词：晶片 远紫外激发 磷化镓 掺氮 
多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性
《半导体技术》1997年第4期31-33,共3页王兼善 王水凤 王平 曾庆城 
南昌大学基础理论研究资助;江西省自然科学基金
测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强...
关键词：多孔硅 上转换荧光 蓝光发射 
GaAs表面光强反射率的温度敏感特性
《传感器技术》1996年第6期16-17,20,共3页肖韶荣 曾庆城 管永红 熊黎明 
对ＧａＡｓ表面光强反射率随温度的变化特性进行了分析，实验结果表明，在一定的温度范围内，其表面光强反射率Ｒ随温度变化的曲线具有开关特性。
关键词：光强反射率 温度 敏感 砷化镓 
B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
《厦门大学学报（自然科学版）》1993年第S2期79-81,共3页曾庆城 王水风 罗房芳 
江西省自然科学基金;国家自然科学基金
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.
关键词：离子注入 铁硼离子对 横向增强扩散 
半导体晶片Fe/Ni玷污的紫外荧光谱研究
《江西大学学报（自然科学版）》1992年第1期53-58,共6页曾庆城 王水凤 罗庆芳 严中一 张霖霖 
针对Si,GaAs半导体晶片中金属杂质玷污的问题,本文提出了紫外光致荧光谱的检测方法。常温下,晶片中的Fe,Ni杂质玷污可产生紫外特征荧光峰。这种新的检测方法是非破坏性的,并适用于φ76.2mm,φ100mm大圆片的直接检验,而且具有较高的检测...
关键词：紫外光致荧光 半导体晶片 金属杂质 
硅器件晶片的红外吸收研究
《江西大学学报（自然科学版）》1989年第4期62-67,共6页曾庆城 王水风 宋加涛 张燕群 谭卫 
用红外吸收光谱法对硅器件晶片的金属杂质玷污问题,热氧化SiO_2膜的质量状况和注氮SOI样品的结构进行分析,得到了有助于优选晶片及其与工艺有关的信息。检测方法是非破坏性的,适合硅材料与器件生产厂用于有关工艺的质量控制。
关键词：硅片 红外吸收 无损检测 硅器件 
对半导体杂质沉淀无损检测的若干结果
《江西大学学报（自然科学版）》1989年第2期11-16,共6页曾庆城 王水凤 罗庆芳 胡解生 任建雄 廖隆宣 
用XCD-H红外电视测微显微镜,通过无损检测来评价半导体材料与器件工艺的质量。本文仅对材料的完整性与芯片制造工艺导致杂质沉淀的问题进行讨论。
关键词：杂质沉淀 无损检测 电视显微镜 
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