掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究  

作　　者：王水凤[1] 曾庆城[1] 王兼善[1] 罗庆芳[1] 

机构地区：[1]南昌大学物理系

出　　处：《半导体情报》1997年第4期50-52,54,共4页Semiconductor Information

基　　金：江西省自然科学基金

摘　　要：用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。

关 键 词：晶片 远紫外激发 磷化镓 掺氮 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]