B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应  

作　　者：曾庆城[1] 王水风 罗房芳 

机构地区：[1]南昌大学应用物理所,南昌330047

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》1993年第S2期79-81,共3页Journal of Xiamen University：Natural Science

基　　金：江西省自然科学基金;国家自然科学基金

摘　　要：显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.

关 键 词：离子注入 铁硼离子对 横向增强扩散 

分 类 号：N55[自然科学总论]