LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究  

Study of the Cleanness Optimized Technology on LED GaP Epitaxial Wafers

作　　者：王水凤[1] 胡力民[1] 曾宇昕[1] 曾庆城[1] 

机构地区：[1]南昌大学物理系,电子工程系南昌330047

出　　处：《半导体技术》1999年第5期12-15,共4页Semiconductor Technology

基　　金：江西省自然科学基金;863计划资助项目

摘　　要：介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，The nondestructive inspection method on GaP epitaxial wafers emitting blue or red light in different luminescent intensities is introduced.And the multi peak PL spectra of LED GaP∶N wafers separately excited by short ultraviolet light(≤300nm)and blue light(488nm)can be observed efficiently at room temperature.According to the relative light intensity of the above two kinds of GaP epitaxial wafers and the data relativity of the UVF spectra of the metal impurities,such as Fe、Cu、Ni、Cr(mainly of Fe),the quality optimized process and cleanness degree on LED GaP epitaxial wafers are discussed.

关 键 词：外延晶片 洁净度优化 LED-GaP 发光二极管 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN383.052