直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响  

Growth Conditions and Reflectance of D C Magnetron Sputtered TiO_2 Films

作　　者：王贺权[1] 巴德纯[2] 沈辉[3] 闻立时[4] 

机构地区：[1]沈阳航空工业学院,沈阳110034 [2]东北大学,沈阳110004 [3]中山大学,广州510275 [4]中国科学院金属研究所,沈阳110016

出　　处：《真空科学与技术学报》2008年第1期55-58,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(No.50376067);辽宁省教育厅科技攻关项目(No.052314)

摘　　要：应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。The reflectance of the TiO2 films, grown by D C reactive magnetron sputtering on silicon substrates, was studied. The results show that TiO2 films can be good anti-reflectance materials in solar cells and that judicious choice of the film growth conditions may improve its anti-reflectance. The optimized growth conditions are as follows：total gas pressure 2 ×10^-1 Pa,oxygen flow rate, 15 sccm,substrate temperature,60℃ and substrate-target separation, 190 mm.

关 键 词：直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率 

分 类 号：O614.411[理学—无机化学]