La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_(3-δ)薄膜中的巨磁电阻效应  

Giant Magnetoresistance Effect in La 0 67 Ca 0 33 MnO 3-δ Thin Films

作　　者：李可斌[1,2,3] 李西军[1,2,3] 曹效文 许小军[1,2,3] 朱警生 张裕恒 

机构地区：[1]中国科学院固体物理研究所 [2]中国科学院等离子体物理研究所 [3]中国科学技术大学结构分析开放实验室

出　　处：《电子显微学报》1997年第4期421-424,共4页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（１１０）等单晶衬底上成功地制备了Ｌａ０６７Ｃａ０３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输运测量表明外加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝（ρ０－ρ７Ｔ）／ρ７Ｔ在室温下为５０％，２２５Ｋ附近高达２０００％以上。High quality epitaxial La 0 67 Ca 0 33 MnO 2 thin films have been successfully fabricated by d.c. magnetron sputtering technique onto heated single crystals such as SrTiO 3(001),LaAlO 3(001),NdGaO 3(110) and ZrO 2(001). Magnetoresistance MR=(ρ 0-ρ 7 T ) /ρ 7T reaches 50% at room temperature and is larger than 2000% at 225K. The temperature and field dependencies of the longitudinal resistivity ρ xx and Hall resistivity ρ xy will be discussed in the text.

关 键 词：巨磁电阻效应 磁控溅射 半导体滞膜技术 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]