注入光敏器件的探讨  

作　　者：石仲斌 

机构地区：[1]中国舰船研究院微电子中心

出　　处：《半导体光电》1997年第4期278-283,共6页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：对注入光敏器件进行了分析，所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的，并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大ｐｎ结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率，其原因是开路ｐｎ结“注入电流”被抽取的机理难以实现。

关 键 词：注入光敏器件 间接耦合 光电探测器 微光探测器 

分 类 号：TN389[电子电信—物理电子学]