注入光敏器件

作品数：14被引量：16H指数：2
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对于CMOS有源传感器的分析与研究
《商情》2009年第15期46-46,共1页岳松洁 
CMOS图像传感器是一种新的摄像器件。具有结构紧凑、供电简单、成本低廉等优点。本文认识比较其CMOS图像传感器的优越性，分析感光结构性能和CMOS有源像素传感器APS列选电路的研究。
关键词：CMOS 有源像素传感器 注入光敏器件 
光探测与器件
《中国光学》2001年第5期66-67,共2页
TL181.5 2001053443一维光电位置敏感器的应用研究=Application research on one-dimensional photoelectric position sensitive detectors[刊,中]/漆新民,周鞠宁,余拱信(南昌航空工业学院测控工程系.江西,南昌(330034))//光电工程.—2...
关键词：光电位置敏感器 工作原理 光学三角法测量 半导体器件 应用研究 航空工业 注入光敏器件 测量传感器 光电工程 光探测器 
只要是注入电流一定能抽取
《半导体光电》2000年第6期442-445,共4页何民才 黄启俊 
针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论 ,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。
关键词：光电信号 注入光敏器件 注入电流 
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
《半导体光电》2000年第6期435-438,共4页杜树成 席丽霞 
通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
关键词：光电探测器 注入光敏器件 模拟 半导体器件 
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
《半导体光电》2000年第6期439-441,445,共4页何民才 黄启俊 王海军 
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词：光探测器 注入光敏器件 MOS场效应结构 
对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷被引量：1
《半导体光电》1999年第6期441-445,共5页石仲斌 
利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。
关键词：光敏三极管 注入光敏器件 光电二极管 
光探测与器件
《中国光学》1999年第3期57-58,共2页
TN364.2 99031796硅光电二极管陷阱辐射定标研究=Calibration studyof trap radiation of Si photodiode[刊,中]/吴浩宇,王光远,荀毓龙(中科院安徽光机所.安徽,合肥(230031))//应用光学.—1998,19(2).-1-4介绍CryoRadll低温绝对辐射计(H...
关键词：光探测器 光电探测器 绝对辐射计 量子阱半导体激光器 辐射定标 应用光学 功率控制器 注入光敏器件 中科院 陷阱 
四论注入光敏器件的物理基础被引量：4
《半导体光电》1998年第4期263-270,共8页何民才 黄启俊 乐望民 
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献［１～５、１０］中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词：光电器件 光敏器件 注入光敏器件 
光敏三极管光电特性被引量：1
《半导体光电》1998年第4期277-281,共5页石仲斌 
给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工...
关键词：光敏三极管 光电特性 注入光敏器件 光敏二极管 
关于间接耦合光电探测器的存疑点剖析被引量：3
《传感技术学报》1998年第1期46-54,共9页何民才 黄启俊 
本文用新的实验再一次证明,注入光敏器件是肖克莱晶体管理论运用于光敏器件的体现.并指出了光敏器件的最重要工作之一是提高它的信噪比,而不是单纯地增加灵敏度,注入光敏器件正是为了这个目的而提出的.其间着重剖析了对间接耦合光电探...
关键词：光电探测器 光敏器件 注入光敏器件 间接耦合 
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