乐望民

作品数：3被引量：9H指数：2
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
发文主题：压电双晶片膨胀仪光敏器件光电器件物理基础更多>>
发文领域：理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
发文期刊：《半导体光电》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
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铁电共聚物P(VDF-TrFE)介电特性研究被引量：1
《武汉大学学报（自然科学版）》2000年第3期339-342,共4页乐望民 唐一文 汪大海 赵兴中 
国家自然科学基金!(59973015);(599430 0 1);清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放基金资助项目
利用最小二乘法 ,对辐照改性后 P(VDF- Tr FE)薄膜试样的介电常数谱进行 V- F关系模拟 ,得出该材料具有与自旋玻璃体系及弛豫铁电体类似的性质 .同时研究了其冻结温度随加工和辐照条件变化的规律 .研究结果表明 ,通过适当选择加工和辐...
关键词：P(VDF-TrFE) 辐照改性 铁电共聚物 介电特性 
基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪被引量：5
《武汉大学学报（自然科学版）》2000年第1期87-90,共4页唐一文 乐望民 汪大海 国世上 赵兴中 
国家自然科学基金!(59973015);(59943001);清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放基金
研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪，它能够在较宽的频率范围内，可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜最度方向的电场致应变，测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为１００Ｈｚ时能探测低于０．１ｎｍ的位移，最后...
关键词：压电双晶片 共聚物薄膜 电场致应变 膨胀仪 
四论注入光敏器件的物理基础被引量：4
《半导体光电》1998年第4期263-270,共8页何民才 黄启俊 乐望民 
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献［１～５、１０］中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词：光电器件 光敏器件 注入光敏器件 
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