半导体SiC材料研究进展及其应用  

作　　者：王辉[1] 琚伟伟[1] 刘香茹[1] 陈庆东[1] 尤景汉[1] 巩晓阳[1] 

机构地区：[1]河南科技大学,河南洛阳471003

出　　处：《科技创新导报》2008年第1期8-9,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。

关 键 词：碳化硅 材料生长 器件 

分 类 号：TQ163[化学工程—高温制品工业]