Zn_xMg_(1-x)O和ZnO:Al外延膜的激射特征  

作　　者：丁才蓉[1] 李树玮[1] 汪河洲[1] 

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510275

出　　处：《激光与光电子学进展》2008年第2期30-30,共1页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家自然科学基金(10674183);国家973项目(2004CB719804);教育部博士点基金(20060558068)

摘　　要：介绍了ZnxMg1-xO和ZnO:Al外延膜的激射特性。发现Mg替代的浓度灵敏地改变带隙宽度及受激发射峰的光子能量(激光频率),对发光效率影响较小。观察到Zn0.78Mg0.22O中光子能量高达3.51eV的激射,据我们所知这是目前ZnO系列材料已报道的最短波长的激射,而且其等离子体激射频带不随激发强度变化。结果表明Mg替代可以用作调节改变材料的响应波长。

关 键 词：ZNO 激射 光谱学 替代 掺杂 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN248.4