云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李树玮

李树玮: 作品数：14被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中山大学更多>>; 发文主题：分子束外延分子束外延生长金属电极存储器衬底更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《稀有金属》《发光学报》《半导体光电》《南华大学学报（自然科学版）》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金广州市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>

Plasma Treatment Enhanced Magnetic Properties in Manganese Doped Titanium Nitride Thin Films: 《Chinese Journal of Chemical Physics》2017年第4期457-460,I0002,共5页李丹许灵敏李树玮周勋; This work is supported by nology Cooperation Plan of LKS[2013]15）, the 2012 Doctor Normal University of China the Science and Tech- Guizhou Province （J- Foundation of Guizhou （Xun Zhou） Scholars of Ministry of Education of China, Ph.D. Programs Foundation of Ministry of Education of China （No.20120171120011）, the Open Fund of the State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics of Jilin University （No.IOKL2013KF14）, the National Natural Science Foundation of China （No.61273310）.; The ferromagnetic manganese doped TiN films were grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on MgO（001） substrates. The nitrogen concentration and the ratio of manganese at Ti lattice sites increase after the p...; 关键词：Epitaxial growth Magnetic materials Thin films Solar energy materials

CuO薄膜的阻变存储特性: 《南华大学学报（自然科学版）》2014年第3期76-81,共6页胡苹尹岚陈铀李树玮; 国家自然科学基金资助项目(11347203);湖南省教育厅基金资助项目(11C1073); 利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb(Nb:STO)的衬底上制备了双层的Cu2O/CuO薄膜,经过测量其电流电压特性,发现Pt/Cu2O/CuO/Nb:STO器件的阻变存储特性非常显著,而且可重复程度高,适合多次数据写入与擦除,有望应用于信息存储领域.; 关键词：分子束外延双极阻变开关非易失性

TiO2掺Cu薄膜对LaAlO3衬底拉曼谱增强的影响: 《中国科技论文》2013年第3期216-218,共3页王运佳李树玮; 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090171110006); 在LaAlO3(111)衬底上,利用分子束外延(MBE)方法,在生长温度为480℃下,制备了高质量纯TiO2及TiO2掺Cu薄膜,并采用拉曼光谱、光电子能谱(XPS)等手段对样品进行表征。XPS分析结果显示Cu原子为+1价,Ti原子为+4价。拉曼光谱发现,在衬底LaAlO3...; 关键词：Cu掺杂TiO2 拉曼增强分子束外延生长

稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质: 《半导体技术》2008年第S1期379-382,共4页李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军; 国家自然科学基金(50572124); 用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn∶TiO...; 关键词：稀磁半导体TiMnO2 分子束外延室温铁磁性

Zn_xMg_(1-x)O和ZnO:Al外延膜的激射特征: 《激光与光电子学进展》2008年第2期30-30,共1页丁才蓉李树玮汪河洲; 国家自然科学基金(10674183);国家973项目(2004CB719804);教育部博士点基金(20060558068); 介绍了ZnxMg1-xO和ZnO:Al外延膜的激射特性。发现Mg替代的浓度灵敏地改变带隙宽度及受激发射峰的光子能量(激光频率),对发光效率影响较小。观察到Zn0.78Mg0.22O中光子能量高达3.51eV的激射,据我们所知这是目前ZnO系列材料已报道的最短...; 关键词：ZNO 激射光谱学替代掺杂

Mn_(0.1)Ti_(0.9)O_(2-δ)稀磁半导体薄膜的MBE生长及表征被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2007年第7期1058-1062,共5页夏延秋吴曙翔刘雅晶于晓龙李树玮; 国家自然科学基金(批准号:50572124);广州市科技计划资助项目~~; 采用OPA-MBE方法在SrTiO3(STO)衬底上成功制备了Mn0.1Ti0.9O2-δ(MTO)稀磁半导体薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外可见光分度计以及直流四探针测试仪研究了薄膜的晶体结构、化学组成、光吸收和电荷输运性质.MTO薄膜具有...; 关键词：Mn0.1Ti0.9O2-δ薄膜稀磁半导体 OPA-MBE X射线光电子能谱

溶剂效应对DCM发光特性的影响被引量：2: 《发光学报》2005年第6期804-806,共3页张洁曹玲芳陈丹连加荣刘彭义李树玮杨国伟周翔; 广州市科技计划资助项目(2004J1-C0011); 有机发光二极管利用有机半导体光电功能材料的电致发光效应,具有许多优异性能,是新一代有发展前途的平板显示器件及光源。有机发光材料的光电特性、光物理、光化学过程直接决定了有机发光二极管的性能。利用荧光光谱方法观察典型高效有...; 关键词：有机发光材料 DCM 溶剂效应浓度猝灭效应

在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文)被引量：2: 《光散射学报》2004年第1期90-94,共5页李树玮小池一步矢野满明; 氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO...; 关键词：氧化锌薄膜分子束外延生长光致发光透射光谱半导体材料禁带宽度镁酸锌

ZnO材料的生长及表征被引量：7: 《液晶与显示》2004年第3期178-181,共4页李树玮小池一步; 教育部回国人员留学基金资助项目(No.03 30100 4105443); 氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料,通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),研究了生长时材料薄膜的表面形貌。为了使...; 关键词：氧化锌分子束外延光致发光透射光谱

垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长被引量：3: 《稀有金属》2004年第1期207-209,共3页李树玮小池一步矢野满明; 用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了 5个周期垂直堆垛的InAs量子点 ,在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是 5 0 0nm的GaAs外延层 ,15nm的Al0 .5Ga0 .5As势垒外延...; 关键词：晶体生长垂直堆垛的InAs量子点分子束外延(MBE) 光致发光

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