CuO薄膜的阻变存储特性  

Resistive Switching Characteristics of Copper Oxide Thin Films

作　　者：胡苹[1] 尹岚[1] 陈铀[1] 李树玮[2] 

机构地区：[1]南华大学数理学院,湖南衡阳421001 [2]中山大学物理科学与工程技术学院,广东广州510275

出　　处：《南华大学学报（自然科学版）》2014年第3期76-81,共6页Journal of University of South China：Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11347203);湖南省教育厅基金资助项目(11C1073)

摘　　要：利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb(Nb:STO)的衬底上制备了双层的Cu2O/CuO薄膜,经过测量其电流电压特性,发现Pt/Cu2O/CuO/Nb:STO器件的阻变存储特性非常显著,而且可重复程度高,适合多次数据写入与擦除,有望应用于信息存储领域.In this letter,bilayered Cu2 O /CuO thin films were grown on Nb doped SrTiO3（ Nb： STO） substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. The current-voltage characteristics of Pt /Cu2 O /CuO /Nb： STO devices show reproducible and pronounced current-voltage hysteresis which was induced by the CuO /Nb： STO junctions. The device can be used as information storage for its reproducibility and nonvolatility.

关 键 词：分子束外延 双极阻变开关 非易失性 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]