远紫外光刻现状及未来  

作　　者：童志义[1] 

机构地区：[1]电子工业部第四十五研究所,平凉744000

出　　处：《微电子技术》1997年第2期10-17,共8页Microelectronic Technology

摘　　要：本文主要过评了光学光刻技术在由0．35μmat艺向0．25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。

关 键 词：光学光刻 远紫外曝光 0.25μm工艺 集成电路 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]