MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究  

The Study of InGaAs/InP Bulk Material Grown by MOCVD

作　　者：陈龙海[1] 刘宝林[1] 陈松岩[1] 陈朝[1] 黄美纯[1] 王本忠[2] 赵方海[2] 刘式墉[2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,361005 [2]吉林大学集成光电子国家重点实验室,130023

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第3期262-267,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：福建省自然科学基金;国家自然科学基金;集成光电子学国家重点实验室资助

摘　　要：首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。The growth condition of InP and InGaAs on InP substrate by LowPressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition (LP-MOCVD) and the growthperformance of InP/InP and InGaAs/InP are reported. The effect of temperature onInGaAs/InP performance is studied.

关 键 词：MOCVD 化合物半导体 外延生长 Ⅲ-Ⅴ族 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN304.23