基于共振隧穿二极管的应力检测方法  

Resonant Tunneling Diode Based Stress Measurement

作　　者：熊继军[1] 毛海央[1] 张文栋[1] 薛晨阳[1] 

机构地区：[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国防重点实验室,太原030051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第2期324-328,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50775209);霍英东教育基金(批准号:101052);新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-04-0259)资助项目~~

摘　　要：共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法——惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,可调范围达到三个数量级.The output characteristics of InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes （RTDs） changes as a function of external stress,and this meso-piezoresistive effect can be used to measure stress. In this paper, two RTD-based strategies to measure stress,resonance frequency measurement and RTD-Wheatstone bridge measurement, are discussed. The experimental results show that the piezoresistive sensitivity of the RTD-Wheatstone bridge can be configured within a range of 3 orders with different bias voltages, and the maximum piezoresistive sensitivity is 4. 782 × 10^-9 Pa^-1.

关 键 词：共振隧穿二极管 应力检测 振荡频率 I-V特性 压阻灵敏度 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]