用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器  

Low Profile Power Module Combined with State of the Art MOSFET Switches and SiC Diodes Allows High Frequency and Very Compact Three-phase Sinusoidal Input Rectifiers

作　　者：袁海斌（译）[1] 刘鹿生（校）[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学

出　　处：《电力电子》2007年第6期32-36,共5页Power Electronics

摘　　要：本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

关 键 词：功率模块 硅二极管 MOS场效应管 整流器 碳化硅 开关 紧凑 MOSFET器件 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统] TN315.2