一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法  

A Method to Improve the d v /d t and d i /d t Capabilities of a Fast Switching Thyristor

作　　者：裴素华[1] 薛成山[1] 赵善麒[2] 

机构地区：[1]山东师范大学 [2]北京电力电子新技术研究开发中心

出　　处：《电力电子技术》1997年第3期82-84,共3页Power Electronics

摘　　要：分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。The improvement on the d v /d t ,d i /d t capabilities of a fast switching thyristor is studied with the Ga gaussian distribution,and experimental results are given.

关 键 词：电流上升率 电压上升率 晶闸管 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]