赵善麒

作品数:16被引量:15H指数:2
导出分析报告
供职机构:北京电力电子新技术研究开发中心更多>>
发文主题:双向晶闸管晶闸管大功率快速晶闸管电力半导体器件更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊:《半导体技术》《电子学报》《辐射研究与辐射工艺学报》《半导体光电》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
双向晶闸管通态电压特性曲线分析被引量:1
《半导体技术》2000年第1期28-30,共3页李树良 赵善麒 
根据实验数据给出了双向晶闸管(TRIAC)的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新工艺可大大改善双向晶闸管的双向通态特性。
关键词:双向晶闸管 通态特性 电压特性曲线 
Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
《半导体杂志》1998年第4期30-33,44,共5页裴素华 赵善麒 薛成山 江玉清 孟繁英 
利用开管扩Ga系统,分段控制掺杂量,使杂质Ga在硅中形成阶梯形分布,用于快速晶闸管的研制,理论分析与测试结果表明,器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高200V左右,且通态特性和动态特性保持优良。实验证明,Ga的阶梯分布...
关键词:阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂 
开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用被引量:2
《Journal of Semiconductors》1998年第12期940-944,共5页裴素华 薛成山 赵善麒 
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法,用于各类晶闸管的制造,使器件具有触发参数一致性好,通态特性优良,dv/dt、di/dt耐量高等特点.实践证明。
关键词:电力半导体器件 开管镓扩散系统 应用 
高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究被引量:1
《固体电子学研究与进展》1998年第1期64-69,共6页赵善麒 李天望 裴素华 
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照,测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理,可以长期稳定工作。
关键词:电子束 辐照 功率半导体器件 退火 晶闸管 
开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性被引量:4
《固体电子学研究与进展》1997年第3期268-271,共4页裴素华 薛成山 赵善麒 
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,可明显改善器件...
关键词:晶闸管 开管 镓扩散 快速晶闸管 通态特性 
一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法被引量:2
《电力电子技术》1997年第3期82-84,共3页裴素华 薛成山 赵善麒 
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管dv/dt、di/dt耐量的机理,并给出实验结果。
关键词:电流上升率 电压上升率 晶闸管 
一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺
《电力电子技术》1995年第2期60-63,共4页赵善麒 郑景春 李景荣 
国家自然科学基金;吉林省科委的资助
在现有的硅-铝-钼(Si-Al-Mo)烧结工艺的基础上,引入了铬(Cr)、镍(Ni)、银(Ag)金属阻挡层,并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明,该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结,并能改善...
关键词:双向晶闸管 烧结 合金 
12MeV电子束辐照改善双向晶闸管特性参数的研究
《辐射研究与辐射工艺学报》1994年第4期204-208,共5页赵善麒 李天望 贾林 郑景春 夏吉夫 宋泽令 
国家自然科学基金;吉林省科委的资助
用12MeV电子束对200A双向晶闸管进行三种不同方式辐照,并对辐照前后双向晶闸管的主要参数进行了测试。实验结果表明,12MeV电子束辐照可以明显改善双向晶闸管的换向能力,而且根据对器件参数的不同要求,可以选择不同辐...
关键词:电子束辐照 双向晶闸管 换向能力 电学参数 
中心锥形槽状光敏门极的200A,1200V光控双向晶闸管的研制
《Journal of Semiconductors》1994年第7期488-495,共8页赵善麒 高鼎三 王正元 
国家自然科学基金
本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想,介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺,并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究.研制成功的直径为30mm,电流容量为200A,耐压为1200V;的光控双向晶...
关键词:双向可控硅 光控可控硅 光敏门极 
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
《电子学报》1994年第5期54-60,共7页赵善麒 高鼎三 王正元 
国家自然科学基金
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点,介绍了该新型结构器件的关键生产工艺,并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究,研制成功的直径为40mm,电流容量为500A,耐压为1200V的光控双向晶...
关键词:双向晶闸管 光控可控硅 LTTriac 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部